<video id="nfavk"><menu id="nfavk"></menu></video>
<b id="nfavk"></b>

  • <samp id="nfavk"></samp>

    <video id="nfavk"></video>

  • <video id="nfavk"><td id="nfavk"></td></video>
  • 碳化硅衬底晶片生产厂商 SiC衬底价格

    • 碳化硅衬底晶片生产厂商 SiC衬底价格

    碳化硅衬底晶片生产厂商 SiC衬底价格

    苏州恒迈瑞公司碳化硅衬底晶片主要分为导电型和半绝缘型,导电型SiC碳化硅衬底片以n型碳化硅衬底为主,主要用于外延GaN基LED等光电子器件、SiC基电力电子器件等,半绝缘型碳化硅晶片主要用于外延制造GaN高功率射频器件。高纯半绝缘HPSI与SI半绝缘是有区别的,高纯半绝缘载流子浓度3.5*1013~8*1015/cm3范围,具有较高的电子迁移率;半绝缘是高阻材料,电阻率很高,一般用于微波器件衬底,不导电。

    碳化硅制成的垂直型LED较蓝宝石的水平型LED,产生的热量能够从电极两端导出,因此更为适合作为大功率LED的衬底材料,并拥有更长的使用寿命。

    您可能还喜欢
    喷血翘臀